致力可持續發(fā)展 英特爾邁向無(wú)鉛處理器時(shí)代
45納米高-k金屬柵極處理器將全面無(wú)鉛化
    2007-05-29    夏莉    來(lái)源:經(jīng)濟參考報

  英特爾公司2007年5月22日宣布,從其45納米高-k金屬柵極處理器全部產(chǎn)品系列開(kāi)始,英特爾下一代的處理器將實(shí)現百分之百的無(wú)鉛化。英特爾45納米高-k產(chǎn)品系列包括下一代英特爾、“酷!2雙核、英特爾“酷!2四核以及英特爾“至強”處理器。采用最新45納米高-k技術(shù)的處理器將于2007年下半年開(kāi)始投產(chǎn)。
  英特爾公司技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁兼封裝測試技術(shù)發(fā)展總監Nasser Grayeli指出:“從淘汰鉛的使用、致力于提高我們產(chǎn)品的能效,到降低空氣排放和提高水及其他材料的循環(huán)利用,英特爾正積極地朝著(zhù)環(huán)境可持續發(fā)展的目標邁進(jìn)!

邁向無(wú)鉛化之路

  鉛被廣泛的使用在多種微電子產(chǎn)品的封裝(package)中,包括像連接英特爾芯片到封裝的凸焊點(diǎn)(bump)中都在使用鉛。封裝的作用是將硅芯片包裝起來(lái),使封裝好的硅芯片可以最終連接到主板上。面向移動(dòng)計算、臺式機和服務(wù)器等特定細分市場(chǎng)的處理器會(huì )采用不同類(lèi)型的封裝。封裝設計類(lèi)型包括針腳矩陣(pin grid array)、球狀矩陣(ball grid array)和板狀矩陣(land grid array)等,而在英特爾下一代45納米高-k技術(shù)中,這些封裝都會(huì )實(shí)現百分之百無(wú)鉛化。2008年,英特爾還將實(shí)現65納米芯片組產(chǎn)品的百分之百無(wú)鉛化。
  英特爾的45納米處理器不僅無(wú)鉛,而且還會(huì )利用英特爾的高-k硅技術(shù)降低晶體管的漏電,使處理器的能效和性能都得到極大提升。英特爾公司的45納米高-k硅技術(shù)還包括了第三代應變硅技術(shù)以改進(jìn)驅動(dòng)電流,同時(shí)利用低-k電介質(zhì)降低互連電容,從而在提高性能的同時(shí)降低功率。最終,英特爾45納米高-k處理器系列將能使臺式機、筆記本電腦、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設備以及服務(wù)器設計變得更輕巧時(shí)尚,體積更小,能效更高。
  因其特別的電子特性和機械特性,鉛在電子產(chǎn)品中已經(jīng)使用了數十年之久。尋找能夠滿(mǎn)足性能和可靠性要求的替代材料,是一項巨大的科學(xué)和技術(shù)挑戰。
  由于鉛對環(huán)境和公共健康存在著(zhù)潛在的影響,作為其支持可持續發(fā)展長(cháng)期承諾的一部分,英特爾與其供應商以及半導體和電子行業(yè)的其他公司一起,多年來(lái)一直致力于開(kāi)發(fā)無(wú)鉛產(chǎn)品的方案。2002年,英特爾生產(chǎn)出了第一個(gè)無(wú)鉛閃存產(chǎn)品。從2004年開(kāi)始,英特爾向市場(chǎng)提供的微處理器和芯片組封裝產(chǎn)品的鉛含量較以往產(chǎn)品低95%。
  剩余的5%的鉛(大約0.2克)當時(shí)存在于第一層連接的鉛焊料之中,這些焊料起著(zhù)連接硅芯片(silicon die)到封裝底層的作用。為了替換掉最后的這些鉛,英特爾將使用一種錫銀銅的合金來(lái)替換掉原來(lái)的錫鉛焊料,這種新材料就是英特爾的“秘密配方”。由于英特爾先進(jìn)硅技術(shù)的復雜連接構造,要剔除掉英特爾處理器封裝中殘余的這點(diǎn)鉛,引入全新的焊料合金系統,需要做大量的工程性工作。
  英特爾的工程師們開(kāi)發(fā)了一種使用新合金的封裝生產(chǎn)工藝,能夠保證在使用新的合金的情況下,英特爾組件仍發(fā)揮應有的高性能、高質(zhì)量和高可靠性。

致力于可持續發(fā)展

  英特爾長(cháng)期以來(lái)一直堅持對環(huán)境保護的承諾,這種環(huán)保理念從英特爾的創(chuàng )始人戈登-摩爾(Gordon Moore) 就開(kāi)始了。除了消除鉛在其產(chǎn)品中的使用,英特爾還在其工廠(chǎng)和運營(yíng)中開(kāi)發(fā)了一系列綠色環(huán)保的最佳方案。從英特爾即將面世的無(wú)鉛處理器中最小的45納米晶體管,到今天高性能的英特爾“酷!2雙核處理器(能耗降低多達40%),再到對行業(yè)標準和強有力的公共政策的廣泛支持,英特爾在其所從事業(yè)務(wù)的方方面面都設計和融入了高能效表現的理念。
  今年早些時(shí)候,英特爾在其Intel StrataFlash蜂窩內存的封裝中實(shí)現了向無(wú)鹵素技術(shù)的轉移。英特爾目前正在評估將無(wú)鹵阻燃素用于其CPU封裝技術(shù)中。 1996年,英特爾領(lǐng)導制定一個(gè)覆蓋全行業(yè)的半導體加工協(xié)議,旨在降低全球溫室氣體排放。目前,英特爾正在與歐盟合作,討論技術(shù)行業(yè)如何支持歐盟實(shí)現其設定的在2020年將溫室氣體排放量降低20%的目標。
  英特爾正專(zhuān)注于減少其生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)品對自然資源的使用和浪費。在過(guò)去的3年中,英特爾通過(guò)保護性措施節約了超過(guò)90億加侖的淡水;其全球的溫室氣體排放量的降低,相當于讓公路上少跑了5萬(wàn)輛汽車(chē)。
  英特爾降低了其產(chǎn)品中有害物質(zhì)的使用,并對超過(guò)70%的化學(xué)和固體廢料實(shí)現了循環(huán)利用。英特爾優(yōu)先使用可再生能源。英特爾公司是美國俄勒岡州最大的風(fēng)能發(fā)電采購者,也是新墨西哥州最大的可再生能源工業(yè)用戶(hù)。英特爾在能源之星(Energy Star)和雇員通勤計劃方面的工作,受到了美國環(huán)境保護署的好評。

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